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參數資料
| 型號： | 2SC4959-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
| 中文描述： | 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管超小型模具 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SC4959-T1 |
PART
NUMBER
Embossed tape 8 mm wide.
Pin3 (Collector) face to perfora-
tion side of the tape.
2SC4959–T1
3 Kpcs/Reel.
Embossed tape 8 mm wide.
Pin1 (Emitter), Pin2 (Base) face
to perforation side of the tape.
2SC4959–T2
3 Kpcs/Reel.
1995
DATA SHEET
The mark
#
shows revised points.
SILICON TRANSISTOR
2SC4959
Caution;
Electrostatic sensitive Device.
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
SUPER MINI MOLD
FEATURES
Low Noise, High Gain
Low Voltage Operation
Low Feedback Capacitance
C
re
= 0.4 pF TYP.
ORDERING INFORMATION
QUANTITY
PACKING STYLE
Document No. P10382EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. TD-2410)
Date Published July 1995 P
Printed in Japan
1.25
±
0.1
2.1
±
0.1
2
±
0
–
+
0
0
–
+
2
1
3
0
±
0
0
–
+
0
Marking
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters
PIN CONNECTIONS
1.
2.
3.
Emitter
Base
Collector
Collector to Base Voltage
V
CBO
9
V
Collector to Emitter Voltage
V
CEO
6
V
Emitter to Base Voltage
V
EBO
2
V
Collector Current
I
C
30
mA
Total Power Dissipation
P
T
150
mW
Junction Temperature
T
j
150
°
C
Storage Temperature
T
stg
–65 to +150
°
C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
* Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation
sample.
Unit sample quantity shall be 50 pcs. (Part No.: 2SC4959)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4959 | High Frequency Low Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管) |
| 2SC4962 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 2SC4963 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 2SC4988 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SC4993 | Silicon NPN Epitaxial |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4960 | 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 1A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC4978-7061 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7071 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7101 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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