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參數資料
| 型號： | 2SC4964 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | 2SC4964 |
Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5
2SC4964
Silicon NPN Epitaxial
REJ03G0736-0300
(Previous ADE-208-005A)
Rev.3.00
Aug.10.2005
Application
VHF / UHF RF switch
Features
Low Ron and high performance for RF switch.
Capable of high density mounting.
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A
(Package name: MPAK)
1
2
3
1. Emitter
2. Base
3. Collector
Note:
Marking is “YV–”.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
12
V
Collector to emitter voltage
VCEO
8
V
Emitter to base voltage
VEBO
3
V
Collector current
IC
100
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4965YV-TL-E | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4977 | 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4786 | 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4983-7 | 1000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1881-7 | 1000 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4978-7061 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7071 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7101 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4979-7061 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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