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參數資料
| 型號： | 2SC4981-4100 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ITO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | 2SC4981-4100 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1679-4100 | 5 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4980-4100 | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1600-4100 | 12 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1878-4000 | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4880 | 12 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4981-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4981-7012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4981-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4981-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4995YD(TL-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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