- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369121 > 2SC5012-T1 (NEC Corp.) HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SC5012-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 中文描述： | 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管4個引腳超小型模具 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 2SC5012-T1 |
1993
DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC5012
Document No. P10400EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. TD-2412)
Date Published July 1995 P
Printed in Japan
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
4 PINS SUPER MINI MOLD
FEATURES
Small Package
High Gain Bandwidth Product (f
T
= 9 GHz TYP.)
Low Noise, High Gain
Low Voltage Operation
ORDERING INFORMATION
PART
NUMBER
QUANTITY
PACKING STYLE
2SC5012-T1
3 Kpcs/Reel.
Embossed tape 8 mm wide.
Pin 3 (Base), Pin 4 (Emitter) face to
perforation side of the tape.
2SC5012-T2
3 Kpcs/Reel.
Embossed tape 8 mm wide.
Pin1 (Collector), Pin2 (Emitter) face
to perforation side of the tape.
*
Please contact with responsible NEC person, if you require
evaluation sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs.
(Part No.: 2SC5012)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C)
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
stg
20
10
1.5
65
150
150
V
V
V
mA
mW
C
C
–65 to +150
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters
Caution; Electrostatic Sensitive Device.
2.1 ± 0.2
1.25 ± 0.1
0.3
(LEADS 2, 3, 4)
(
0
0
(
2
1
4
+0.1
0.4
0
+0.1
0
+
–
X
0 to 0.1
0
0.15
+0.1
0
+
–
2
3
PIN CONNECTIONS
1. Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5012-T2 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 2SC5014 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 2SC5014-T1 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 2SC5014-T2 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 2SC5022 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC5012-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:9GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:3,000 |
| 2SC5012-T2 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 2SC5013 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5013(NE68018) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| 2SC5013-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB @ 2GHz 增益:9.5dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。