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參數資料
| 型號： | 2SC5012 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | 2SC5012 |
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Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1st, 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by:
Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5012-T1-EB | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5013-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5013GB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5013 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5013-T2 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC5012(NE68118) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| 2SC5012-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:9GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 |
| 2SC5012-FB(T1) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5012-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 2SC5012-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:9GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:3,000 |
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