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參數資料
| 型號： | 2SC5086O |
| 英文描述： | µP Supervisory Circuits in 4-Bump (2 x 2) Chip-Scale Package |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 12V的五（巴西）總裁| 80mA的一（c）|的SOT - 416 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | 2SC5086O |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5086Y | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 80MA I(C) | SOT-416 |
| 2SC5087O | µP Supervisory Circuits in 4-Bump (2 x 2) Chip-Scale Package |
| 2SC5087Y | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 80MA I(C) | SOT-143VAR |
| 2SC5088O | µP Supervisory Circuits in 4-Bump (2 x 2) Chip-Scale Package |
| 2SC5088Y | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 80MA I(C) | SOT-143VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC5086-O(T5L，F，T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM |
| 2SC5086-O(TE85L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN |
| 2SC5086-O,LF | 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SSM 標準包裝:1 |
| 2SC5086Y | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 80MA I(C) | SOT-416 |
| 2SC5086-Y | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications |
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