- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄33413 > 2SC5200LR (UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD) 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SC5200LR |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-3PL, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | 2SC5200LR |
UTC 2SC5200 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD
1
QW-R214-005,A
POWER AMPLIFIER
APPLICATIONS
FEATURES
* Recommended for 100W High Fidelity Audio Frequency
Amplifier Output Stage.
* Complementary to UTC 2SA1943
TO-3PL
*Pb-free plating product number: 2SC5200L
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25℃)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
230
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
230
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
IC
15
A
Base Current
IB
1.5
A
Collector Power Dissipation (Tc=25℃)
PC
150
W
Junction Temperature
TJ
150
℃
Storage Temperature Range
Tstg
-55 ~ 150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25℃)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR) CEO IC= 50mA, IB=0
230
V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE (sat)
IC= 8A, IB= 0.8A
0.40
3.0
V
Base -Emitter Voltage
VBE
VCE= 5V, IC= 7A
1.0
1.5
V
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 230V, IE=0
5.0
μ
A
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB= 5V, IC=0
5.0
μ
A
hFE1
VCE= 5V, IC= 1A
55
160
DC Current Gain
hFE2
VCE= 5V, IC= 7A
35
60
Transition Frequency
fT
VCE= 5V, IC= 1A
30
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB= 10V, IE=0, f=1MHz
200
pF
Note: hFE (1) Classification, R : 55 ~ 110, O : 80 ~ 160
CLASSIFICATION OF HFE1
RANK
R
O
Range
55 ~ 110
80 ~ 160
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5200L | 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5200O | 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5201 | 50 mA, 600 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5208 | 0.8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5209-13-1H | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC5200N(S1,E,S) | 功能描述:TRANS NPN 230V 15A TO-3PL 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 1A，5V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P（N） 標準包裝:150 |
| 2SC5200N(S1,X,S) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5200O | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 230V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-264AA |
| 2SC5200-O | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5200-O(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。