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參數資料
| 型號： | 2SC5200O |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 230V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-264AA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 230伏五（巴西）總裁|第15A一（c）|至264AA |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | 2SC5200O |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5245-5 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SC-70 |
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| 2SC5255O | Voltage Detectors in 4-Bump (2 x 2) Chip-Scale Package |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC5200-O | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5200-O(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5200-OQ | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:PWR TRANSISTOR TO-3PL PB FREE |
| 2SC5200OTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 230V 15A 150W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5200R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 230V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-264AA |
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