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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5240 |
| 英文描述： | Voltage Detectors in 4-Bump (2 x 2) Chip-Scale Package |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 400V五（巴西）總裁| 3A條一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | 2SC5240 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5242O | TRANSISTOR | BJT | NPN | 230V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
| 2SC5242R | Voltage Detectors in 4-Bump (2 x 2) Chip-Scale Package |
| 2SC5245-3 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SC-70 |
| 2SC5245-4 | Voltage Detectors in 4-Bump (2 x 2) Chip-Scale Package |
| 2SC5322F | TRANSISTOR | BJT | NPN | 5V V(BR)CEO | 10MA I(C) | EMD3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5241 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5241-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=450 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5241-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=450 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5241-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=450 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5242 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:NPN TRIPLE DIFFUSED(FOR POWER AMPLIFIER APLLICATIONS) |
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