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參數資料
| 型號： | 2SC5381 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 16 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | 2SC5381 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5235 | 15 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1738 | 5 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1728 | 2.5 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2515 | 7 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2512 | 5 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC5382 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2SC5382-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=6 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5382-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=6 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5382-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=6 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5383 | 制造商:ISAHAYA 制造商全稱:Isahaya Electronics Corporation 功能描述:FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(Ultra super mini type) |
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