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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5417 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Inverter Lighting Applications |
| 中文描述： | 變頻器照明應(yīng)用 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | 2SC5417 |
2SC5417
Ordering number : EN5817
Inverter Lighting Applications
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
51598TS (KOTO) TA-1043 No.5817-1/4
Package Dimensions
unit: mm
2079B-TO220FI (LS)
[2SC5417]
SANYO : TO220FI (LS)
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
3
7
1
1
3
10.0
0.9
1.2
1
0.75
4.5
2.8
0
0.7
2
2.55
2.55
1
2
3
3.2
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25°C
Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Collector Dissipation
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Conditions
Ratings
Unit
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
1200
600
9
3
6
2
Tc=25°C
25
150
Junction Temperature
Storage Temperature
Tj
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
typ
min
max
10
1.0
Unit
Collector Cutoff Current
Collector Cutoff Current
Collector Sustain Voltage
Emitter Cutoff Current
C-E Saturation Voltage
B-E Saturation Voltage
DC Current Gain
ICBO
ICES
VCEO(sus)
IEBO
VCE(sat)
VBE(sat)
hFE(1)
hFE(2)
tstg
tf
VCB=600V, IE=0
VCE=1200V, RBE=0
IC=100mA, IB=0
VEB=9V, IC=0
IC=1.5A, IB=0.3A
IC=1.5A, IB=0.3A
VCE=5V, IC=0.1A
VCE=5V, IC=1.0A
IC=1.5A, IB1=0.3A, IB2=–0.6A
IC=1.5A, IB1=0.3A, IB2=–0.6A
μA
mA
V
mA
V
V
600
1.0
1.0
1.5
50
30
10
40
Storage Time
Fall Time
2.5
0.15
μs
μs
Features
High breakdown voltage.
High reliability (Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5417LS | Inverter Lighting Applications |
| 2SC5547 | For High Frequency Amplify Application Silicon NPN Epitaxial Type |
| 2SC5666 | 2SC5666 |
| 2SC5706TP | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251VAR |
| 2SA2044TP-FA | BJT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC54190RA | 功能描述:TRANS NPN 300VCEO 70MA MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5422 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5422(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC5423002FD | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC5426 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:1500V 10A 50W Hitachi Transistor TO-3P |
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