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參數資料
| 型號： | 2SC5555 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial VHF / UHF wide band amplifier |
| 中文描述： | npn型硅外延甚高頻/超高頻寬帶放大器 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | 2SC5555 |
2SC5555
Silicon NPN Epitaxial
VHF / UHF wide band amplifier
ADE-208-693 (Z)
1st. Edition
Nov. 1998
Features
Super compact package;
(1.4
×
0.8
×
0.59mm)
Capable low voltage operation ;
(V
CE
= 1V)
Outline
MFPAK
1. Emitter
2. Base
3. Collector
1
3
2
Note: Marking is
“
ZD-
”
.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2SC5563(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 1.5KV 0.02A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
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| 2SC5566-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5569-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 7A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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