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參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5590
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: 16 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE, 2-21F2A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/6頁(yè)
文件大小: 659K
代理商: 2SC5590
2SC5590
2006-11-22
1
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5590
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR SUPER
HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV FOR
MULTIMEDIA & HDTV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage
: VCBO = 1700 V
Low Saturation Voltage
: VCE (sat) = 3 V (Max.)
High Speed
: tf (2) = 0.1s (Typ.)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
CollectorBase Voltage
VCBO
1700
V
CollectorEmitter Voltage
VCEO
800
V
EmitterBase Voltage
VEBO
5
V
DC
IC
16
Collector Current
Pulse
ICP
32
A
Base Current
IB
8
A
Collector Power Dissipation
PC
200
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature Range
Tstg
55~150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-21F2A
Weight: 9.75 g (typ.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5606-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5606-A-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5606-T1FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5606-A-YFB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5609G 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5590(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SC559200L 功能描述:TRANS NPN HF 15VCEO 2.5A MINI 3P RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SC5606-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5606-FB-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5606-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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