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參數資料
| 型號： | 2SC5615-T3EB-A |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 124K |
| 代理商： | 2SC5615-T3EB-A |
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DATA SHEET
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NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5615
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE
3-PIN LEAD-LESS MINIMOLD
Document No. PU10081EJ01V0DS (1st edition)
(Previous No. P15572EJ1V0DS00)
Date Published January 2002 CP(K)
Printed in Japan
The mark
shows major revised points.
NEC Corporation 2001
NEC Compound Semiconductor Devices 2002
FEATURES
1005 package employed (1.0
× 0.5 × 0.5 mm)
NF = 1.4 dB TYP.,
S21e2 = 12.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
ORDERING INFORMATION
Part Number
Quantity
Supplying Form
2SC5615
50 pcs (Non reel)
8 mm wide embossed taping
2SC5615-T3
10 kpcs/reel
Pin 2 (Base) face the perforation side of the tape
Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.
The unit sample quantity is 50 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
20
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
10
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
1.5
V
Collector Current
IC
65
mA
Total Power Dissipation
Ptot
Note
140
mW
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
65 to +150
°C
Note Mounted on 1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) glass epoxy PCB
Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5616 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5618 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5618-EB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5618-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5618-EB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC562 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC562200VLA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR |
| 2SC562200VLK | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC563200L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC5632G0L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
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