- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371518 > 2SC5619 (Electronic Theatre Controls, Inc.) 2SC5619 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5619 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 2SC5619 |
| 中文描述： | 2SC5619 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | 2SC5619 |
概要
2SC5619は、超小形外形樹脂封止形シリコンNPNエピタキシャル
形トランジスタです。
高ｆTであり、また、コレクタ損失が大きく、ディスプレイモニター用
等として最適です。
特長
●ｆTが高い ｆT=4.5GHz標(biāo)準(zhǔn)。
●
Cobが小さい。Cob=1.0pF標(biāo)準(zhǔn)
●
超小形外形のため、セットの小型化、高密度実裝が可能。
用途
TV チューナー、通信機、攜帯電話等
形名表示 hFE
〈小信號トランジスタ〉
2SC5619
高周波増幅用
シリコン NPN エピタキシャル形
外形図
単位：ｍｍ
電気的特性
（Ta=25℃）
特性値
項目
記號
試験條件
最小
標(biāo)準(zhǔn)
最大
単位
コレクタ遮斷電流
I
CBO
V
CB
=10V, I
E
=0mA
-
-
0.5
μA
エミッタ遮斷電流
I
EBO
V
EB
=1V, I
C
=0mA
-
-
1.0
μA
直流電流増幅率
hFE
V
CE
=5V ,I
C
=20mA
50
-
250
-
利得帯域幅積
fT
V
CE
=5V, I
E
=-20mA
-
4.5
-
GHz
コレクタ出力容量
Cob
V
CB
=5V, I
E
=0mA,f=1MHz
-
1.0
-
pF
電力利得
|S
21
|
2
V
CB
=5V, I
C
=20mA,f=1GHz
7.5
9.0
-
dB
雑音指數(shù)
NF
V
CE
=5V, I
C
=5mA,f=1GHz
-
1.5
-
dB
JEITA：SC-59
JEDEC：TO-236 類似
電極接続
①：ベース
②：エミッタ
③：コレクタ
0
0
～
0
0
1
0
0.5
1.5
0.5
2.5
0
0
1
2
①
②
③
マ
ー
キ
ン
グ
図
GW
記號
V
CBO
V
EBO
V
CEO
項目
定格値
20
3
12
単位
V
V
V
コレクタベース間電圧
エミッタベース間電圧
コレクタエミッタ間電圧
I
C
コレクタ電流
50
mA
P
C
コレクタ損失（Ta=25℃）
150
mW
Tj
接合部溫度
+125
℃
Tstg
保存溫度
-125～
+125
℃
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5620 | For Low Frequency Amplify Application Sillcon Npn Epitaxial Type |
| 2SC5621 | FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
| 2SC5622 | Silicon NPN triple diffusion mesa type(For horizontal deflection output) |
| 2SC5625 | SILICON EPITAXIAL |
| 2SC5626 | 2SC5626 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC562 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC562200VLA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR |
| 2SC562200VLK | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC563200L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC5632G0L | 功能描述:TRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。