- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄370084 > 2SC5648 (Sanyo Electric Co.,Ltd.) NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SC5648 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展硅晶體管 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 2SC5648 |
2SC5648
μ
μ
No.
2SC5648
0
0.25
0.2
1.4
0.45
1
3
2
0
1
0
0
0.1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5669 | 230V / 15A, AF100W Output Applications |
| 2SA2031 | 230V / 15A, AF100W Output Applications |
| 2SC5680 | Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications |
| 2SC5681 | Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications |
| 2SC5682 | Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC565400L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5654G0L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5658 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:150 MA, 50 V, NPN, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VMT3, 3 PIN |
| 2SC5658GT2LR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTER 2SC5658GT2LR |
| 2SC5658M3T5G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。