型號: | 2SC5662 |
廠商: | Rohm CO.,LTD. |
英文描述: | High-Frequency Amplifier Transistor(11V, 50mA, 3.2GHz) |
中文描述: | 高頻晶體管放大器(11V時,50mA的,3.2GHz的) |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 64K |
代理商: | 2SC5662 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SC4043S | High-Frequency Amplifier Transistor(11V, 50mA, 3.2GHz) |
2SC3839K | Epitaxial Planar NPN Silicon Transistors |
2SC4084 | Epitaxial Planar NPN Silicon Transistors |
2SC3841T62 | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
2SC3841T63 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-346 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
2SC5662T2LN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VMT3 NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC5662T2LP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 11V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC5663T2L | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC5669 | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 230V 15A 60 to 160 TO-3PB Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 230V 15A TO-247 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:NPN 230V 15A 140W 262010 Sanyo Transistor TO-247Var 制造商:Sanyo 功能描述:Trans GP BJT NPN 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PB |
2SC5674-T3-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |