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參數資料
| 型號： | 2SC5703 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type |
| 中文描述： | 東芝晶體硅npn型外延式 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | 2SC5703 |
2SC5703
2001-12-17
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5703
High-Speed Switching Applications
DC-DC Converter Applications
Strobe Applications
High DC current gain: h
FE
= 400 to 1000 (I
C
= 0.5 A)
Low collector-emitter saturation voltage: V
CE (sat)
= 0.12 V (max)
High-speed switching: t
f
= 55 ns (typ.)
Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
100
V
Collector-emitter voltage
V
CEX
80
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
V
EBO
7
V
DC
I
C
4
Collector current
Pulse
I
CP
7
A
Base current
I
B
400
mA
DC
800
Collector power
dissipation
t
=
10 s
P
C
(Note)
1250
mW
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55 to 150
°C
Note: Mounted on FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:
645 mm
2
)
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=
100 V, I
E
=
0
100
nA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
=
7 V, I
C
=
0
100
nA
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR) CEO
I
C
=
10 mA, I
B
=
0
50
V
h
FE
(1)
V
CE
=
2 V, I
C
=
0.5 A
400
1000
DC current gain
h
FE
(2)
V
CE
=
2 V, I
C
=
1.6 A
200
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
=
1.6 A, I
B
=
32 mA
0.12
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE (sat)
I
C
=
1.6 A, I
B
=
32 mA
1.10
V
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
26
pF
Rise time
t
r
45
Storage time
t
stg
700
Switching time
Fall time
t
f
See Figure 1 circuit diagram.
V
CC
～
30 V, R
L
=
19
I
B1
=
I
B2
=
53.3 mA
55
ns
Industrial Applications
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-3S1A
Weight: 0.01 g (typ.)
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