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參數資料
| 型號： | 2SC5730 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | MINIATURE PC BOARD RELAY |
| 中文描述： | 中等功率晶體管（30V的，1.0安培） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2SC5730 |
2SC5730
Transistor
Medium power transistor (30V, 1.0A)
1/3
2SC5730
!
Features
1) High speed switching. (Tf : Typ. : 35ns
at
I
C
= 1.0A)
2) Low saturation voltage, typically
(Typ. : 150mV
at
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA)
3) Strong discharge power for inductive load and
capacitance load.
4) Complements the 2SA2048
!
Applications
Small signal low frequency amplifier
High speed switching
!
Structure
NPN Silicon epitaxial planar transistor
!
Packaging specifications
!
External dimensions
(Units : mm)
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : UM
TSMT3
(
(
(
0
0
0
1
0
2
2.8
1.6
1
0
0
0.3 0.6
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
Taping
2SC5730
Type
TL
3000
Package
Basic ordering unit
(pieces)
Code
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
V
V
V
A
mW
1 Pw
=
10ms
2 Each terminal mounted on a recommended land.
2
1
°
C
°
C
A
V
CBO
V
CEO
I
C
P
C
Tj
V
EBO
I
CP
Tstg
Symbol
30
30
6
1
2
500
150
55~
+
150
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
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PDF描述 |
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參數描述 |
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| 2SC5730KT146R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5730TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5730TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5731T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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