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參數資料
| 型號： | 2SC5730TLQ |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TSMT3, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | 2SC5730TLQ |
2SC5730
Transistor
1/3
Medium power transistor (30V, 1.0A)
2SC5730
!
!Features
1) High speed switching. (Tf : Typ. : 35ns at IC = 1.0A)
2) Low saturation voltage, typically
(Typ. : 150mV at IC = 500mA, IB = 50mA)
3) Strong discharge power for inductive load and
capacitance load.
4) Complements the 2SA2048
!Applications
!
!External dimensions (Units : mm)
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : UM
TSMT3
( 2
)
( 1
)
( 3
)
0
0.1
0.16
0.85
1.0MAX
0.7
2.9
2.8
1.9
1.6
0.95
0.4
0.3
0.6
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
Small signal low frequency amplifier
High speed switching
!
!Structure
NPN Silicon epitaxial planar transistor
!
!Packaging specifications
Taping
2SC5730
Type
TL
3000
Package
Basic ordering unit
(pieces)
Code
!
!Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
V
A
mW
1 Pw=10ms
2 Each terminal mounted on a recommended land.
2
1
°C
A
°C
VCBO
VCEO
IC
PC
Tj
VEBO
ICP
Tstg
Symbol
30
6
1
2
500
150
55~+150
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5736-T1FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5736-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5739P | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC5739Q | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC5748 | 16 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC5730TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5731T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5731T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5732TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5732TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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