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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5745-T1FB |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/24頁(yè) |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | 2SC5745-T1FB |
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DATA SHEET
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Document No. P15439EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published May 2001 NS CP(K)
Printed in Japan
2001
NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5745
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE
FLAT-LEAD 3-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
FEATURES
Low voltage operation, low phase distortion
Ideal for OSC applications
Flat-lead 3-pin thin-type ultra super minimold package
ORDERING INFORMATION
Part Number
Quantity
Supplying Form
2SC5745
50 pcs (Non reel)
8 mm wide embossed taping
2SC5745-T1
3 kpcs/reel
Pin 3 (collector) face the perforation side of the tape
Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative.
Unit sample quantity is 50 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
15
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
5.5
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
1.5
V
Collector Current
IC
100
mA
Total Power Dissipation
Ptot
Note
200
mW
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
65 to +150
°C
Note Mounted on 1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) glass epoxy substrate
Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5754-FB | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5801-T3FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5812 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SH28 | 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 2SJ518 | 2000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5748(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 900V 16A 3-Pin TO-3P(LH) |
| 2SC5750-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SC5750-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 2SC5750-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5751-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:16dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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