- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄49962 > 2SC5824T100Q 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5824T100Q |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MPT3, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 934K |
| 代理商： | 2SC5824T100Q |
1/3
www.rohm.com
○
c
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2011.03 - Rev.C
Power transistor (60V, 3A)
2SC5824
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) High speed switching. (Tf : Typ. : 30ns at IC = 3A)
2) Low saturation voltage, typically
(Typ. : 200mV at IC = 2A, IB = 200mA)
3) Strong discharge power for inductive load and
capacitance load.
4) Complements the 2SA2071.
Applications
Low frequency amplifier
High speed switching
Structure
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Packaging specifications
Taping
2SC5824
Type
T100
1000
Package
Basic ordering unit
(pieces)
Code
Absolute maximum ratings (Ta=25
C)
Parameter
V
A
mW
1 Pw=100ms
2 Each terminal mounted on a recommended land.
3 Mounted on a 40x40x0.7(mm) ceramic substrate
2
1
°C
A
°C
VCBO
VCEO
IC
PC
Tj
VEBO
ICP
Tstg
Symbol
60
6
3
6
500
W
3
PC
2.0
150
55 to +150
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : UP
MPT3
(1)Base(Gate)
(2)Collector(Drain)
(3)Emitter(Sourse)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5824T100 | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5828 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5846G | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5851 | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5851 | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5824T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5825 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SC5825TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 3A NPN HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5825TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 3A NPN HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5826TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 3A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。