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參數資料
| 型號： | 2SC5826TV2R |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ATV, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 933K |
| 代理商： | 2SC5826TV2R |
1/3
www.rohm.com
○
c
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2011.03 - Rev.B
Power transistor (60V, 3A)
2SC5826
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) High speed switching.
(tf : Typ. : 30ns at IC = 3A)
2) Low saturation voltage, typically
(Typ. : 200mV at IC = 2A, IB = 0.2mA)
3) Strong discharge power for inductive load and
capacitance load.
4) Complements the 2SA2073
Applications
Low frequency amplifier
High speed switching
Structure
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Packaging specifications
Taping
2SC5826
Type
TV2
2500
Package
Basic ordering unit (pieces)
Code
Absolute maximum ratings (Ta=25
C)
Parameter
V
A
W
°C
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
tj
tstg
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
DC
Pulsed
60
6
3
6
1.0
150
55 to 150
Pw=100ms
Symbol : C5826
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ATV
Taping specifications
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5826TV2 | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5831 | 2 A, 55 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5850 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5851FATL-E | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5851FBTL-E | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SC5842001KT | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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| 2SC584600L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5846G0L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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