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參數資料
| 型號： | 2SC5868TLR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TSMT3, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 929K |
| 代理商： | 2SC5868TLR |
1/3
www.rohm.com
○
c
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2011.03 - Rev.A
Medium power transistor (60V, 0.5A)
2SC5868
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) High speed switching.
(Tf : Typ. : 80ns at IC = 500mA)
2) Low saturation voltage, typically
(Typ. : 75mV at IC = 100mA, IB = 10mA)
3) Strong discharge power for inductive load
and capacitance load.
4) Complements the 2SA2090
Applications
Small signal low frequency amplifier
High speed switching
Structure
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Packaging specifications
Taping
2SC5868
Type
TL
3000
Package
Basic ordering unit (pieces)
Code
Absolute maximum ratings (Ta=25
C)
Parameter
V
A
mW
°C
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
DC
Pulsed
60
6
0.5
1.0
500
150
55 to 150
1
2
1 Pw=10ms
2 Each terminal mounted on a recommended land
Abbreviated symbol : VS
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
TSMT3
( 2
)
( 1
)
( 3
)
0
0.1
0.16
0.85
1.0MAX
0.7
2.9
2.8
1.9
1.6
0.95
0.4
0.3
0.6
Each lead has same dimensions
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SC5886 | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2SC5876T106R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5880TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 2A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5880TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 2A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5881TLQ | 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT-428 TR RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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