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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5874STPQ |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SPT, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | 2SC5874STPQ |
2SC5874S
Transistors
1/3
Medium power transistor (30V, 1.0A)
2SC5874S
!
Features
1) High speed switching.
(Tf : Typ. : 35ns at IC = 1.0A)
2) Low saturation voltage, typically
(Typ. : 150mV at IC = 1.0A, IB = 100mA)
3) Strong discharge power for inductive load and
capacitance load.
4) Complements the 2SA2086S
!
Applications
Small signal low frequency amplifier
High speed switching
!
External dimensions (Unit : mm)
Taping specifications
Symbol : C5874S
SPT
0.45
2.5
(1) (2) (3)
(15min.)
5.0
3.0
3min.
0.45
0.5
4.0
2.0
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
!
Structure
NPN Silicon epitaxial planar transistor
!
Packaging specifications
Taping
2SC5874S
Type
TP
5000
Package
Basic ordering unit (pieces)
Code
!
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
V
A
mW
°C
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
DC
Pulsed
30
6
1.0
2.0
300
150
55 to 150
1
2
1 Pw=10ms
2 Each terminal mounted on a recommended land
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3710A | 70 A, 60 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SA1768-T | 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N1936.MOD | 20 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 2N3448.MOD | 7.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N3509.MOD | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SC5876T106R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5880TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 2A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5880TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 60V 2A 3PIN ATV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5881TLQ | 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT-428 TR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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