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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5881 |
| 英文描述： | Transistors |
| 中文描述： | 晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/24頁(yè) |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | 2SC5881 |
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DATA SHEET
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Document No. P15660EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published July 2001 NS CP(K)
Printed in Japan
2001
NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5800
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE
FLAT-LEAD 3-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
FEATURES
Low phase distortion, low voltage operation
Ideal for OSC applications
Flat-lead 3-pin thin-type ultra super minimold package
ORDERING INFORMATION
Part Number
Quantity
Supplying Form
2SC5800
50 pcs (Non reel)
8 mm wide embossed taping
2SC5800-T1
3 kpcs/reel
Pin 3 (collector) face the perforation side of the tape
Remark
To order evaluation samples, consult your NEC sales representative.
Unit sample quantity is 50 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
V
CBO
9.0
V
Collector to Emitter Voltage
V
CEO
5.5
V
Emitter to Base Voltage
V
EBO
1.5
V
Collector Current
I
C
100
mA
Total Power Dissipation
P
tot
Note
200
mW
Junction Temperature
T
j
150
°
C
Storage Temperature
T
stg
65 to +150
°
C
Note
Mounted on 1.08 cm
2
×
1.0 mm (t) glass epoxy PCB
Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC5881TLQ | 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT-428 TR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5881TLR | 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT-428 TR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5886A(T6L1,NQ) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5888 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5888-1EX | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP NPN 10A 50V |
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