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參數資料
| 型號： | 2SD1027 |
| 廠商： | Shindengen Electric Manufacturing Company, Ltd. |
| 英文描述： | Darlington Transistor(15A NPN) |
| 中文描述： | 達林頓晶體管（第15A NPN）的 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 458K |
| 代理商： | 2SD1027 |
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
Unit : mm
Case : MTO-3P
Darlington Transistor
15A NPN
2SD1027
(T15L20)
●
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Tstg
Tj
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
TOR
Conditions
Ratings
-55
～
+
1
50
+
1
50
200
200
7
1
5
22
1
2
1
00
0.8
Unit
℃
℃
V
V
V
A
A
A
A
W
N
m
Storage Temperature
Junction Temperature
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current DC
Collector Current Peak
Base Current DC
Base Current Peak
Total Transistor Dissipation
Mounting Torque
Tc = 25
℃
(Recommended torque : 0.5N
m
）
●
Electrical Characteristics (Tc=25
℃
)
Item
Symbol
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
Conditions
Ratings
Max 0.
1
Max 0.
1
Max 5
Min
1
,500
Max 30,000
Max
1
.5
Max 2.0
Max
1
.25
TYP 20
Max 2
Unit
mA
Collector Cutoff Current
V
CB
= 200V
V
CE
= 200V
V
EB
= 7V
V
CE
= 3V, I
C
=
1
0A
Emitter Cutoff Current
mA
DC Current Gain
Collector to Emitter Saturation Voltage
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
θ
jc
f
T
ton
I
C
=
1
0A
I
B
= 30mA
Junction to case
V
CE
=
1
0V, I
C
=
1
.5A
V
V
Base to Emitter Saturation Voltage
Thermal Resistance
Transition Frequency
Turn on Time
℃
/W
MHz
I
C
=
1
0A
I
B
1
= I
B2
= 30mA
R
L
= 3
Ω
V
BB2
= 4V
Storage Time
ts
Max 8
μ
s
Fall Time
tf
Max 5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1030 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 2SD1032 | SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR |
| 2SD1032A | CABLE ASSEMBLY; LEAD-FREE SOLDER; BNC FEMALE TO BNC FEMALE; 50 OHM, RG142B/U COAX, DOUBLE SHIELDED; 12" CABLE LENGTH; *USES STANDARD 50 OHM INTERFACE CONNECTORS* |
| 2SD1044 | SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA DARLINGTON |
| 2SD1105 | SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA DARLINGTON |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1027-7100 | 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD1027-7112 | 功能描述:達林頓晶體管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD103 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2SD1030 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 2SD10300RL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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