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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1115(K) |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | 2SD1115(K) |
2SD1115(K)
Silicon NPN Triple Diffused
Application
High voltage switching, igniter
Outline
TO-220AB
4.5 k
(Typ)
250
(Typ)
1
2
3
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
400
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
300
V
Emitter to base voltage
V
EBO
7V
Collector current
I
C
3A
Collector peak current
I
C(peak)
6A
Collector power dissipation
P
C*
1
40
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1115(K) | POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1115K | 3 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD111 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2SD1138D | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1145 | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1117 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| 2SD1118 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH SPEED SWITCHING |
| 2SD1119 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD11190RL | 功能描述:TRANS NPN 25VCEO 3A MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1119GRL | 功能描述:TRANS NPN 25VCEO 3A MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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