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參數(shù)資料
型號: 2SD1115K
英文描述: TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 300V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB
中文描述: 晶體管|晶體管|達(dá)林頓|叩| 300V五(巴西)總裁| 3A條一(c)| TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 12K
代理商: 2SD1115K
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
————————————————————–
Collector to base voltage
————————————————————–
Collector to emitter voltage
————————————————————–
Emitter to base voltage
————————————————————–
Collector current
————————————————————–
Collector peak current
————————————————————–
Collector power dissipation
————————————————————–
Junction temperature
————————————————————–
Storage temperature
Symbol Rating Unit
V
CBO
400
V
V
CEO
300
V
V
EBO
7
V
I
C
6
A
i
C(peak)
10
A
P
C*1
50
W
Tj
150
°C
Tstg
–55 to °C
+150
————————————————————–
Note: 1. Value at T
C
= 25°C.
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
———————————————————————————————————————————
Collector to base breakdown voltage
V
(BR)CBO
400
———————————————————————————————————————————
Collector to emitter sustain voltage
V
CEO(sus)
300
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test condition
V
I
C
= 0.1 mA, I
E
= 0
V
I
C
= 4 A, PW = 50 μs,
f = 50 Hz, L = 10 mH
———————————————————————————————————————————
Emitter to base breakdown voltage
V
(BR)EBO
7
———————————————————————————————————————————
Collector cutoff current
I
CEO
———————————————————————————————————————————
DC current transfer ratio
h
FE
500
———————————————————————————————————————————
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
————————————————————————————————
Base to emitter saturation voltage
V
BE(sat)
———————————————————————————————————————————
Turn on time
t
on
————————————————————————————————
I
B1
= –I
B2
= 40 mA
Turn off time
t
off
———————————————————————————————————————————
Note: 1. Pulse Test.
V
I
E
= 50 mA, I
C
= 0
100
μA
V
CE
= 300 V, R
BE
=
V
CE
= 2 V, I
C
= 4 A
*1
1.5
V
I
C
= 4 A, I
B
= 40 mA
*1
2.0
V
2.0
μs
I
C
= 4 A,
23
μs
See characteristics curves of 2SD991
K
.
123
300
typ
150
typ
2
3
1
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
TO-220AB
2SD1114
K
Silicon NPN Triple Diffused
High Voltage Switching, Igniter
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1119Q TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89
2SD1119R Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SD1126(K) TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 120V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220AB
2SD1133B Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SD1133C TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1117 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor
2SD1118 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH SPEED SWITCHING
2SD1119 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD11190RL 功能描述:TRANS NPN 25VCEO 3A MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1119GRL 功能描述:TRANS NPN 25VCEO 3A MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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