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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1118 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH SPEED SWITCHING |
| 中文描述： | 10 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | SC-46, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 2SD1118 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1119 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification0 |
| 2SD113 | SILICON NPN DEFFUSED JUNCTION TRANSISTOR |
| 2SD1140 | NPN EPITAXIAL TYPE (MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SD1149 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 2SD1151 | NPN EPITAXIAL PLANAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1119 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD11190RL | 功能描述:TRANS NPN 25VCEO 3A MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1119GRL | 功能描述:TRANS NPN 25VCEO 3A MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1119Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89 |
| 2SD1119-QR | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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