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參數資料
| 型號： | 2SD1148 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | 2SD1148 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD114KW | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4097P | 500 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1579R | 50 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1774Q | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2411KT147 | 500 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1149 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 2SD11490RL | 功能描述:TRANS NPN LF AMP 100VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD11490SL | 功能描述:TRANS NPN LF AMP 100VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1149R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 20MA I(C) | TO-236AB |
| 2SD1149S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 20MA I(C) | TO-236AB |
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