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參數資料
型號: 2SD1160-Y
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 164K
代理商: 2SD1160-Y
2SD1160
2005-02-01
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SD1160
Switching Applications
Suitable for Motor Drive Applications
High DC current gain
Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.6 V (max) (IC = 2A, IB = 40 mA)
Built-in free wheel diode
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
20
V
Emitter-base voltage
VEBO
6
V
DC
IC
2
Collector current
Pulse
ICP
4
A
Diode forward surge current (t = 1 s)
IFP
1
A
Ta = 25°C
1
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
10
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7B1A
Weight: 0.36 g (typ.)
COLLECTOR
BASE
EMITTER
≈ 800
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PDF描述
2SD1160-O 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數描述
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