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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1209(K) |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | 2SD1209(K) |
2SD1209(K)
Silicon NPN Epitaxial, Darlington
ADE-208-1143 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SA1193(K)
Outline
3
2
1
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-92MOD
3
2
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1209(K) | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD1221-Y(2-7B2A) | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1222(2-7B2A) | 3000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1224 | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1227MQ | 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1209KTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
| 2SD1210 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR |
| 2SD1211 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 2SD12110R | 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD12110S | 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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