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參數資料
| 型號： | 2SD1209(K)RF |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | 2SD1209(K)RF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2322(L) | 0.05 ohm, POWER, FET |
| 2SK1336RF | 0.3 A, 60 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-92 |
| 2SK2569ZN | 0.2 A, 50 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SC1213ARR | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SJ451ZK-UR | 0.2 A, 20 V, 9 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1209KTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
| 2SD1210 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR |
| 2SD1211 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 2SD12110R | 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD12110S | 功能描述:TRANS NPN 120VCEO .5A TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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