- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371524 > 2SD1280 (PANASONIC CORP) Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage type medium output power amplification) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1280 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage type medium output power amplification) |
| 中文描述： | 1000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-62, MINI PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SD1280 |
1
Transistor
2SD1280
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-voltage type medium output power amplification
I
Features
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
Satisfactory operation performances at high efficiency with the
low-voltage power supply.
G
Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing and the maga-
zine packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Collector
3:Emitter
EIAJ:SC–62
Mini Power Type Package
4.5
±
0.1
1.6
±
0.2
2
±
0
2
±
0
0
1
+
–
4
+
–
3.0
±
0.15
1.5
±
0.1
0.4
±
0.08
0.5
±
0.08
1.5
±
0.1
0.4
±
0.04
45
°
marking
3
2
1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
stg
Ratings
20
20
5
2
1
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Base to emitter saturation voltage
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
BE(sat)
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= 10V, I
E
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 500mA
*2
V
CE
= 2V, I
C
= 1.5A
*2
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
*2
I
C
= 1A, I
B
= 50mA
*2
V
CB
= 6V, I
E
= –50mA, f = 200MHz
V
CB
= 6V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
20
5
90
50
typ
150
100
150
18
max
1
360
1.2
0.5
Unit
μ
A
V
V
V
V
MHz
pF
Marking symbol :
R
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
Q
R
S
T
h
FE1
90 ~ 155
130 ~ 210
180 ~ 280
250 ~ 360
Marking Symbol
RQ
RR
RS
RT
*2
Pulse measurement
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm
2
or more, and the board
thickness of 1.7mm for the collector portion
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1288 | PNP SILICON EPITAXIAL/NPN TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR |
| 2SD1289 | PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER |
| 2SB966 | PNP Silicon Epitaxial/NPN Silicon Triple Diffused Transistor |
| 2SD1291 | SI NPN TRIPLE DIFFUSED MESA |
| 2SD1297 | NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD12800RL | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD12800SL | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1280Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-23 |
| 2SD1280R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-23 |
| 2SD1280S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-23 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。