- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369141 > 2SD1323Q TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SD1323Q |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|達林頓|叩| 30V的五（巴西）總裁| 4A條一（c）|的SOT - 186 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 2SD1323Q |
1
Transistor
2SD1302
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-voltage output amplification
For muting
For DC-DC converter
I
Features
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
Low ON resistance R
on
.
G
High foward current transfer ratio h
FE
.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
JEDEC:TO–92
EIAJ:SC–43A
5.0
±
0.2
4.0
±
0.2
5
±
0
1
±
0
0.45
+0.2
0.45
+0.2
1.27
1.27
2
±
0
2.54
±
0.15
2
1
3
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
25
20
12
1
0.5
600
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
ON resistanse
Symbol
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
R
on*3
Conditions
V
CB
= 25V, I
E
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 0.5A
*2
V
CE
= 2V, I
C
= 1A
*2
I
C
= 0.5A, I
B
= 20mA
I
C
= 0.5A, I
B
= 50mA
V
CB
= 10V, I
E
= –50mA, f = 200MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
25
20
12
200
60
typ
0.13
200
10
1.0
max
100
800
0.4
1.2
Unit
nA
V
V
V
V
V
MHz
pF
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
R
S
T
h
FE1
200 ~ 350
300 ~ 500
400 ~ 800
*2
Pulse measurement
*3
R
on
Measurement circuit
V
B
I
B
=1mA
R
on
= V
1000(
)
A
–V
B
f=1kHz
V=0.3V
1k
V
A
V
V
V
B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1323R | Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay |
| 2SD1324 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 8A I(C) | SOT-186 |
| 2SD1324P | Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay |
| 2SD1324Q | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 8A I(C) | SOT-186 |
| 2SD1324R | Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1325 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 50V 2A 35W BCE |
| 2SD1326 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 50V 4A 40W BCE |
| 2SD1328 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD132800L | 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCED MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD13280RL | 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。