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參數資料
| 型號： | 2SD1327P |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220, FULL PACK-3 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | 2SD1327P |
1
Power Transistors
2SD1327
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington
For midium speed power switching
s Features
q
Incorporating a zener diode of 60V zener voltage between col-
lector and base
q
Minimized variation in the breakdown voltage
q
Large energy handling capability
q
High-speed switching
q
Full-pack package which can be installed to the heat sink with
one screw
s Absolute Maximum Ratings (T
C=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
60
±10
60
±10
7
12
8
45
2
150
–55 to +150
Unit
V
A
W
C
s Electrical Characteristics (T
C=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
Energy handling capability
Symbol
ICBO
IEBO
VCEO
hFE1
*1
hFE2
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
ton
tstg
tf
Es/b
*2
Conditions
VCB = 50V, IE = 0
VEB = 7V, IC = 0
IC = 5mA, IB = 0
VCE = 3V, IC = 4A
VCE = 3V, IC = 8A
IC = 4A, IB = 8mA
VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 1MHz
IC = 4A, IB1 = 8mA, IB2 = –8mA,
VCC = 50V
IC = 1A, L = 100mH, RBE = 100
min
50
2000
500
50
typ
20
0.5
4
1
max
100
2
70
10000
1.5
2
Unit
A
mA
V
MHz
s
mJ
*1h
FE1 Rank classification
Rank
Q
P
hFE1
2000 to 5000 4000 to 10000
TC=25°C
Ta=25
°C
*2E
s/b Test circuit
Unit: mm
Internal Connection
1:Base
2:Collector
3:Emitter
TO–220 Full Pack Package(a)
10.0
±0.2
5.5
±0.2
7.5
±0.2
16.7
±0.3
0.7
±0.1
14.0
±0.5
Solder
Dip
4.0
0.5
+0.2
–0.1
1.4
±0.1
1.3
±0.2
0.8
±0.1
2.54
±0.25
5.08
±0.5
2
13
2.7
±0.2
4.2
±0.2
4.2
±0.2
φ3.1±0.1
B
E
C
X
L
1
Y
G
6V
120
R
BE
60Hz mercury relay
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1349 | 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1366A-AD | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1366AACTR | 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1366AADTR | 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1366AADUR | 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1328 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD132800L | 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCED MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD13280RL | 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD13280SL | 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD13280TL | 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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