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參數資料
| 型號： | 2SD1366A |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 24K |
| 代理商： | 2SD1366A |
2SD1366A
Silicon NPN Epitaxial
Application
Low frequency power amplifier
Outline
UPAK
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector (Flange)
4
1
2
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1367 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD1368 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD1376 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD1376K | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD1376(K) | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1368CBTL-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R Cut Tape |
| 2SD1379 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1383K | 制造商:JVC Worldwide 功能描述:SUB ONLY SI.TRANSISTOR 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1383KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1383KT146B | 功能描述:達林頓晶體管 NPN 32V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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