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參數(shù)資料
型號: 2SD1416
英文描述: TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|達林頓|叩| 80V的五(巴西)總裁| 7A條一(c)|至220VAR
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大小: 52K
代理商: 2SD1416
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相關PDF資料
PDF描述
2SB1001BH BJT
2SB1001BJ 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SB1002CH TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243
2SB1002CJ 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SB1008 Epitaxial planar PNP silicon darlington transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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2SD1418DBTR 制造商:HITACHI 功能描述:
2SD1418DBTR-E 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R
2SD1423 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1423A 功能描述:TRANS NPN AF AMP 50V 500MA NEW S RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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