型號: | 2SD1416 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220VAR |
中文描述: | 晶體管|晶體管|達林頓|叩| 80V的五(巴西)總裁| 7A條一(c)|至220VAR |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大小: | 52K |
代理商: | 2SD1416 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SB1001BH | BJT |
2SB1001BJ | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
2SB1002CH | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243 |
2SB1002CJ | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
2SB1008 | Epitaxial planar PNP silicon darlington transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SD1418DB(TR-E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R |
2SD1418DBTR | 制造商:HITACHI 功能描述: |
2SD1418DBTR-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R |
2SD1423 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SD1423A | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 50V 500MA NEW S RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |