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參數資料
| 型號： | 2SD1417 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 2SD1417 |
| 中文描述： | 2SD1417 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SD1417 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1428 | SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE |
| 2SD1429 | SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE |
| 2SD1430 | SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE |
| 2SD1438 | SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) |
| 2SD1439 | SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED JUNCTION MESA TYPE HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1418DB(TR-E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R |
| 2SD1418DBTR | 制造商:HITACHI 功能描述: |
| 2SD1418DBTR-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R |
| 2SD1423 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1423A | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 50V 500MA NEW S RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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