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參數資料
| 型號： | 2SD1421-ED |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | 2SD1421-ED |
2SD1421
Silicon NPN Epitaxial
ADE-208-1152 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
Low frequency power amplifier
Outline
UPAK
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector (Flange)
4
1
2
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1421-EE | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1436(K) | 10 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1437FY2 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1437DY2 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1437EY2 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1423 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1423A | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 50V 500MA NEW S RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1423ARA | 功能描述:TRANS NPN LF 50VCEO NEW S TYPE RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1425 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-3P 1500V 2.5A 80W BCE |
| 2SD1426 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR |
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