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參數資料
| 型號： | 2SD1459Q-RA |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | 2SD1459Q-RA |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1353E-LS | 0.1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SC3467E-AE | 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 2SC3468F-AJ | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 2SA1433D-AF | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 2SA1352E-CD | 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1461 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-65430V 5A 80W BCE |
| 2SD1468 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1468R | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1468STPQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 15V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1468STPR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 15V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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