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參數資料
| 型號： | 2SD1521 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-126MOD, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | 2SD1521 |
2SD1521
Silicon NPN Epitaxial
ADE-208-912 (Z)
1st. Edition
Sep. 2000
Application
Low frequency power amplifier
Outline
TO-126 MOD
1. Emitter
2. Collector
3. Base
1
2
3
2 k
(Typ)
0.5 k
(Typ)
ID
3
2
1
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Rating
Unit
Collector to emitter voltage
V
CEO
50
V
Emitter to base voltage
V
EBO
7V
Collector current
I
C
1.5
A
Collector peak current
I
C (peak)
3.0
A
Collector power dissipation
P
C
10
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
C to E diode forward current
I
D*
1
1.5
A
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1539AR | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1559-E | 20 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1579-L | 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1582L | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1582-AZ | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1525 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1525(F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 100V VCE 5V Ic 30A hFE 1000 min RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1526 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1527(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD1531 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS.TRANS. TO-126B 50V 2A 1.2W ECB |
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