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參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1529Q
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 80V的五(巴西)總裁| 3A條一(c)|至221VAR
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
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代理商: 2SD1529Q
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1529R Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis
2SD1530 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186
2SD1530P Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis
2SD1530Q TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186
2SD1530R Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis
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參數(shù)描述
2SD1531 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS.TRANS. TO-126B 50V 2A 1.2W ECB
2SD1535 功能描述:TRANS NPN 400VCEO 7A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1536M 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1537 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 40V 3A 25W BCE
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