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參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1616AU
廠商: NEC Corp.
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 60V的五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至92
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
文件大小: 145K
代理商: 2SD1616AU
UTC 2SD1616/A
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
1
QW-R201-008,A
NPN EPITAXIAL SILICON
TRANSISTOR
DESCRIPTION
*Audio frequency power amplifier
*Medium speed switching
1: EMITTER 2: COLLECTOR 3: BASE
TO-92
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Storage Temperature
Junction Temperature
Total Power Dissipation (Ta=25
°
C)
Collector to Base Voltage: D1616
Collector to Emitter Voltage: D1616
Emitter to Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (*Pulse)
Note: (*) Pulse width
10ms, Duty cycle<50%
CHARACTERISTICS
(Ta=25
°
C)
CHARACTERISTIC
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Base Emitter On Voltage
DC Current Gain: D1616
D1616A
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Turn On Time
SYMBOL
Tstg
Tj
Pc
VCBO
VALUE
-55 ~+150
150
750
60
120
50
60
6
1
2
UNIT
°
C
°
C
mW
V
D1616A
D1616A
VCEO
V
VEBO
Ic
Ic
V
A
A
SYMBOL
ICBO
IEBO
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
hFE1
TEST CONDITIONS
VCB=60V
VEB= 6V
IC=1A, IB=50mA
IC=1A, IB=50mA
VCE=2V, IC=50mA
VCE=2V, IC=100mA
MIN.
600
135
135
81
100
TYP.
0.15
0.9
640
MAX. UNIT
100
100
0.3
1.2
700
600
400
19
nA
nA
V
V
mV
hFE2
fT
Cob
ton
VCE=2V, IC=1A
VCE=2V, IC=100mA
VCB=10V, f=1MHz
VCE=10V, IC=100mA
160
0.07
MHz
pF
us
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1618T TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SOT-89
2DS1618S 5-Pin, Multiple-Input, Programmable Reset ICs
2DS1618T BJT
2DS1618U 5-Pin, Multiple-Input, Programmable Reset ICs
2SB1118S 5-Pin &#181;P Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1616-K (AZ) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SD1616-L 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SD1618 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-6220V .7A .5W ECB SURFACE MOUNT
2SD1618S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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