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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1622T |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 1A條一（c）|采用SOT - 89 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 401K |
| 代理商： | 2SD1622T |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1622U | Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis |
| 2SD1623R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89 |
| 2SD1623S | Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis |
| 2SD1623T | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89 |
| 2SD1623U | Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1622T-TD-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 1A SOT89 |
| 2SD1623S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1623T-TD | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述: |
| 2SD1623T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1624 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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