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參數資料
| 型號： | 2SD1633 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN triple diffusion planar type darlington |
| 中文描述： | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | 2SD1633 |
Power Transistors
2SD1633
Silicon NPN triple diffusion planar type darlington
1
Publication date: March 2003
SJD00207AED
For voltage switching
■
Features
High-speed switching
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h
FE
Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw
■
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter sustaining voltage
*2
V
CEO(SUS)
I
CBO
I
C
=
0.2 A, L
=
25 mH
V
CB
=
100 V, I
E
=
0
V
CE
=
100 V, I
B
=
0
V
EB
=
7 V, I
C
=
0
V
CE
=
3 V, I
C
=
3 A
I
C
=
3 A, I
B
=
3 mA
I
C
=
3 A, I
B
=
3 mA
V
CE
=
10 V, I
C
=
1 A, f
=
1 MHz
I
C
=
3 A, I
B1
=
3 mA, I
B2
=
3 mA
V
CC
=
50 V
100
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
100
μ
A
μ
A
Collector-emitter cut-off current (Base open)
I
CEO
100
Emitter-base cutoff current (Collector open)
Forward current transfer ratio
*1
I
EBO
h
FE
5
mA
1
500
15
000
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
1.5
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE(sat)
f
T
2.0
V
Transition frequency
15
MHz
Turn-on time
t
on
3
μ
s
μ
s
μ
s
Storage time
t
stg
t
f
5
Fall time
3
■
Electrical Characteristics
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
100
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
100
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
7
V
Collector current
5
A
Peak collector current
I
CP
8
A
Base current
I
B
P
C
0.5
A
Collector power dissipation
30
W
T
a
=
25
°
C
2.0
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*1: Rank classification
*2: V
CEO(SUS)
test circuit
10.0
±
0.2
5.5
±
0.2
7
±
0
1
±
0
0
±
0
1
±
0
S
(
0.5
+0.2
1.4
±
0.1
1.3
±
0.2
0.8
±
0.1
2.54
±
0.3
5.08
±
0.5
2
1
3
2.7
±
0.2
4.2
±
0.2
4
±
0
φ
3.1
±
0.1
1: Base
2: Collector
3: Emitter
EIAJ: SC-67
TO-220F-A1 Package
Internal Connection
B
C
E
X
L
15 V
6 V
1
120
Y
G
50 Hz/60 Hz
mercury relay
Rank
Q
P
h
FE
1
500 to 6
000 5
000 to 15
000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD16330P | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD16400Q | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD16400R | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1641 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD16450R | 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 1A TO-126 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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