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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1637 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Epitaxial Planar NPN Silicon Darlington Transistor |
| 中文描述： | NPN硅外延平面達林頓晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SD1637 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1638 | EpItaxial Planar NPN Silicon Darlington Transistor |
| 2SD1650 | SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |
| 2SD1651 | NPN TRIPLE DIFFUSED(COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT) |
| 2SD1700L | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 70V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-260VAR |
| 2SD1702TE | Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD16400Q | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD16400R | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1641 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD16450R | 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 1A TO-126 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1647 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANS. TO-220AB50V 2A 25W BCE |
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