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參數資料
| 型號： | 2SD1682S |
| 英文描述： | Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 2.5AI（丙）|至126 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 401K |
| 代理商： | 2SD1682S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1682T | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | TO-126 |
| 2SD1682U | Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis |
| 2SD1683R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-126 |
| 2SD1683S | Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis |
| 2SD1683T | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-126 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1683S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1683T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1684 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTOR TO-1 120V 1.5A 1.3W ECB |
| 2SD1684T | 制造商:SANYO 功能描述:mom 100V 1.5A 200 to 400 TO-126ML Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 100V 1.5A TO-126 |
| 2SD1685F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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