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參數(shù)資料
型號: 2SD1733F5Q
英文描述: Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 80V的五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至252
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 123K
代理商: 2SD1733F5Q
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1733F5R TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252
2SD1733TLP Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis
2SD1733TLQ TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252
2SD1733TLR Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis
2SD1734 TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-186
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1733TL 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1733TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1733TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1733TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1739 制造商:. 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR 制造商:MATSU 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR 制造商:Matsushita Electric 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR
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